放置寿命  Shelf Life 

存储5到10年以上的铝電(diàn)解電(diàn)容可(kě)能(néng)会增加DC漏電(diàn)流.在使用(yòng)之前检查DCL是否满足应用(yòng)的需要.经过1,000Ω的電(diàn)阻加上额定電(diàn)压30分(fēn)钟来重新(xīn)限定高DCL个體(tǐ)的条件. 

存储寿命是测量電(diàn)容如何维持長(cháng)时间的存储尤其在高温下.為(wèi)了测试存储寿命,将電(diàn)容放在一个炉中,设置存储寿命测试温度為(wèi)-0+3℃作為(wèi)存储寿命测试周期.完成实验在25℃下稳定電(diàn)容24h或更長(cháng)时间.提供额定電(diàn)压30分(fēn)钟,确认测试后的限制值.如果没有(yǒu)另外的指标,则電(diàn)容量,DCL和ESR将满足开始的要求. 

(1) 在温度為(wèi)5~30℃,湿度為(wèi)75%以下的室内储存 

(2) 不要保存在组装使用(yòng)中禁用(yòng)的环境及同等条件下 

電(diàn)感

電(diàn)感是等效串联電(diàn)感,对于温度和频率相对独立.对于SMT典型值的范围是从2到8nH,对于径向引線(xiàn)的类型其典型值的范围是从10到30nH,对于螺丝端子的类型其典型值的范围是从20 nH到50nH,对于轴向引線(xiàn)的类型其典型值高达200nH.这些低的值是通过制表區(qū)域和介质接触几何學(xué)的固有(yǒu)的低的電(diàn)感量所获得的.電(diàn)容元件具有(yǒu)小(xiǎo)于2nH的典型的電(diàn)感量.

CDE 電(diàn)感的简单计算公式: ( 直径/2) +5 <電(diàn)感 (nH)<直径-8;

绝缘和接地

非固态電(diàn)解液铝電(diàn)解電(diàn)容的铝外壳通过与電(diàn)解液接触与负极相连.所产生的绝缘電(diàn)阻从几个欧姆到几千个欧姆.对于轴向端子的電(diàn)容和扁平组件封装外壳与负极端子连接.如果同外壳接触的器件有(yǒu)一定電(diàn)平而不是负极端子,使用(yòng)带绝缘套的電(diàn)容.料绝缘(UL224VW-1 )能(néng)承受3000Vdc或2500Vac,60Hz1分(fēn)钟,電(diàn)压加在外壳和一个1/4英寸宽围绕绝缘套的金属薄膜之间.给電(diàn)容安装上满意的尼龙螺母和间隔孔.在薄膜和電(diàn)容外壳之间加電(diàn)100V 2分(fēn)钟以后,绝缘電(diàn)阻不小(xiǎo)于100MΩ.

平衡電(diàn)阻 Balancing Resistors

在额定温度时,串联的两个電(diàn)容漏電(diàn)流的差异能(néng)被估计為(wèi)0.0015CVr单位是uA,C是额定電(diàn)容量单位是uF,Vb是通过两个電(diàn)容的電(diàn)压单位是Vdc.使用(yòng)这种估计数值,使用(yòng)下面的公式来為(wèi)每个電(diàn)容选取平衡電(diàn)阻的值.;R=(2Vr-Vb)/(0.0015CVr);R使平衡電(diàn)阻单位是MΩ,Vr是你想要加在每一个電(diàn)容上的z大電(diàn)压,Vb是通过两个電(diàn)容的z大母線(xiàn)電(diàn)压.;对于三个或更多(duō)的電(diàn)容串联可(kě)使用(yòng)下面的公式,n是串联電(diàn)容的个数:;R=(Vr-Vb/n)/(0.00075CVr);当两个電(diàn)容串联时,電(diàn)压的分(fēn)配很(hěn)少使用(yòng)平衡電(diàn)阻.在使用(yòng)平衡電(diàn)阻作為(wèi)電(diàn)压放電(diàn)以前,应考虑到不使用(yòng)平衡電(diàn)阻通常会增加系统的可(kě)靠性因為(wèi)不使用(yòng)平衡電(diàn)阻可(kě)降低電(diàn)容周围的温度,除去比電(diàn)容可(kě)靠性低的元器件就意味着保护.作為(wèi)替代,使用(yòng)相同生产的一批電(diàn)容以确保相同的漏電(diàn)流或使用(yòng)更高的额定電(diàn)压以允许不同生产商(shāng)的電(diàn)容電(diàn)压的不均衡.确保串联的電(diàn)容有(yǒu)相同的热的环境.